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PRAM内存与DRAM内存的区别

文章出处:研维官网人气: 发表时间2017-10-11 10:25:32
         就目前而言,国内大的晶圆代工厂当属中芯国际,除了处理器业务范围之外,他们现在又打算把手伸向存储芯片行业。2014年9月,中芯国际成功自主研发了采用38nm工艺的NAND闪存芯片。
         现如今,中芯国际与Crossbar公司成功签署了一项合作协议。协议的内容包括,中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工PRAM阻变式存储器芯片,这项协议的签署代表中芯国际成功进军下一代内存产业。
         PRAM具有高性能和低功耗的优点,未来还可以用于物联网、可穿戴设备、三防平板电脑、工业市场等环境下。目前Intel和三星等行业领导者都在大力推进PRAM内存的发展。
         PRAM阻变式存储器,亦可称之为相变内存,其使用硫化物玻璃进行制造,芯片的特点在于,硫化物玻璃受热后可在晶体和非晶体之间进行形态的变化,不同的状态下,其电阻亦不相同,利用这项特性,我们可以进行数据的存储。
        与DRAM相比,PRAM不仅写入速度上快30倍,同时,寿命也比DRAM高出10倍以上。而且PRAM大的优点在于设备断电后依然可以保存数据,这样看来,PRAM不仅仅可以代替内存,同时还可取代闪存。
           综上所述,相比大家对PRAM与DRAM也有一定的了解,南京研维专业于加固平板电脑、带网口三防平板电脑等,欢迎大家前来咨询!
         
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